Transparent Conducting Films Based on Indium Oxide for Photoconducting Devices
基于光电器件用氧化铟基透明导电薄膜
Zhang Bo (张波)
(2015)
Transparent Conducting Films Based on Indium Oxide for Photoconducting Devices
基于光电器件用氧化铟基透明导电薄膜: pp.
89-145.
Chpater 2 The Properties of a Total of Sputtering of Zirconium Doped Indium Tin Oxide Thin Film
第二章 共溅射法制备锆掺杂氧化铟锡薄膜的特性
The following sections are included:
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2.1. 高价金属元素掺杂氧化铟锡薄膜
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2.2. 高价金属元素掺杂氧化铟锡薄膜的研究现状
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2.3. 掺杂氧化铟锡薄膜实验方法
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2.4. 薄膜厚度对氧化铟锡薄膜光电性能的影响
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2.5. 锆靶溅射功率对氧化铟锡薄膜光电性能的影响
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2.6. 衬底温度对氧化铟锡和锆掺杂薄膜微结构的影响
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2.7. 衬底温度对氧化铟锡和锆掺杂薄膜光电性能的影响
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2.8. 氧流量对氧化铟锡和锆掺杂薄膜微结构的影响
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2.9. 氧流量对氧化铟锡和锆掺杂薄膜光电性能的影响
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2.10. 不同退火时间下氧化铟锡和锆掺杂薄膜电阻的变化
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2.11. 退火温度对氧化铟锡和锆掺杂薄膜微结构的影响
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2.12. 退火温度对氧化铟锡和锆掺杂薄膜光电性能的影响
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2.13. 氧化铟锡靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
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参考文献